[发明专利]用于薄膜沉积的铌和钒有机金属前体有效
| 申请号： | 201410008554.6 | 申请日： | 2009-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN103741119A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | N·布拉斯科;A·克雷亚-安娜克莱托;A·潘沙尔;A·曹纳 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/18;C07F9/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李颖;林柏楠 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在基底上形成含金属的层的方法，该方法包括至少下列步骤：a)提供包含至少一种选自如下所示的前体化合物的蒸气；b)提供至少一种选自下组的反应气体：氢、硫化氢、硒化氢、碲化氢、一氧化碳、氨、有机胺、硅烷、乙硅烷、更高级硅烷、甲硅烷基胺、乙硼烷、肼、甲基肼、氯硅烷和氯代聚硅烷、金属烷基、胂、膦、三烷基硼、氧、臭氧、水、过氧化氢、氧化亚氮、一氧化二氮、二氧化氮、醇、包含这些物类的片段的等离子体，以及它们的组合；c)根据沉积法，使所述蒸气和反应气体与基底反应以在所述基底的至少一个表面上形成含金属的层。(Cp)V(=NtBu)(NEt2)2(Cp)V(＝NtBu)(NMe2)2(Cp)V(＝NtBu)(N(EtMe)2(Cp)V(=NiPr)(NEt2)2(Cp)V(＝NiPr)(NMe2)2(Cp)V(=NiPr)(NEtMe)2(Cp)V(=NC5H11)(NEt2)2(Cp)V(＝NC5H11)(NMe2)2(Cp)V(＝NC5H11)(NEtMe)2(Cp)Nb(＝NtBu)(NEt2)2(Cp)Nb(=NtBu)(NMe2)2(Cp)Nb(＝NtBu)(N(EtMe)2(Cp)Nb(＝NiPr)(NEt2)2(Cp)Nb(=NiPr)(NMe2)2(Cp)Nb(＝NiPr)(NEtMe)2(Cp)Nb(=NC5H11)(NEt2)2(Cp)Nb(＝NC5H11)(NMe2)2(Cp)Nb(=NC5H11)(NEtMe)2。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 沉积 有机 金属 | ||
【主权项】：
在基底上形成含金属的层的方法，该方法包括下列步骤：a)提供包含至少一种选自下组的前体化合物的蒸气：(Cp)V(=NtBu)(NEt2)2(Cp)V(=NtBu)(NMe2)2(Cp)V(＝NtBu)(N(EtMe)2(Cp)V(=NiPr)(NEt2)2(Cp)V(=NiPr)(NMe2)2(Cp)V(=NiPr)(NEtMe)2(Cp)V(=NC5H11)(NEt2)2(Cp)V(=NC5H11)(NMe2)2(Cp)V(=NC5H11)(NEtMe)2(Cp)Nb(=NtBu)(NEt2)2(Cp)Nb(=NtBu)(NMe2)2(Cp)Nb(=NtBu)(N(EtMe)2(Cp)Nb(=NiPr)(NEt2)2(Cp)Nb(=NiPr)(NMe2)2(Cp)Nb(=NiPr)(NEtMe)2(Cp)Nb(=NC5H11)(NEt2)2(Cp)Nb(=NC5H11)(NMe2)2(Cp)Nb(=NC5H11)(NEtMe)2b)提供至少一种选自下组的反应气体：氢、硫化氢、硒化氢、碲化氢、一氧化碳、氨、有机胺、硅烷、乙硅烷、更高级硅烷、甲硅烷基胺、乙硼烷、肼、甲基肼、氯硅烷和氯代聚硅烷、金属烷基、胂、膦、三烷基硼、氧、臭氧、水、过氧化氢、氧化亚氮、一氧化二氮、二氧化氮、醇、包含这些物类的片段的等离子体，以及它们的组合；c)根据沉积法，使所述蒸气和反应气体与基底反应以在所述基底的至少一个表面上形成含金属的层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，未经乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410008554.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于教学的录播系统及其使用方法
- 下一篇：一种交通预警方法、装置及系统
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
