[发明专利]一种含钽薄膜的刻蚀工艺在审
| 申请号： | 201410008765.X | 申请日： | 2014-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN104766783A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张挺;邱鹏;杨鹤俊;王宇翔 | 申请（专利权）人： | 上海矽睿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 201815 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种含钽薄膜的刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括：步骤S1、在含钽薄膜上沉积一层或者多层的隔离材料；步骤S2、采用光刻工艺，刻蚀隔离材料及含钽薄膜。所述步骤S2具体包括：步骤S21、沉积光刻胶后进行曝光、显影工艺；步骤S22、采用刻蚀工艺先刻蚀上述的隔离材料；步骤S23、采用与步骤S22中的刻蚀工艺相同或者不同的工艺参数刻蚀含钽薄膜，而后去除光刻胶；或者，在刻蚀隔离材料后先去除光刻胶，随后以隔离材料作为硬掩膜，再次刻蚀去除含钽薄膜。本发明提出的含钽薄膜的刻蚀工艺，可以保证刻蚀后此薄膜表面洁净，保障后续工艺的顺利和性能（如接触）的可靠。同时，本发明工艺稳定可靠且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
一种含钽薄膜的刻蚀工艺，其特征在于，所述含钽薄膜为氮化钽薄膜；所述刻蚀工艺包括：步骤S0、在基底的表面沉积有绝缘材料以及功能材料，功能材料包括存储材料及传感材料；基底上形成有凹坑；沉积氮化钽材料，形成氮化钽薄膜；步骤S1、在氮化钽薄膜上继续沉积一层或者多层的隔离材料，步骤S2、沉积光刻胶后进行曝光、显影工艺；步骤S3、采用刻蚀工艺先刻蚀上述的隔离材料；步骤S4、采用与步骤S3中的刻蚀工艺相同或者不同的工艺参数刻蚀氮化钽材料，而后去除光刻胶；或者，在刻蚀隔离材料后先去除光刻胶，随后以隔离材料作为硬掩膜刻蚀氮化钽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
