[发明专利]一种结型场效应管结构有效
| 申请号： | 201410009497.3 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103700711B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强 | 申请（专利权）人： | 帝奥微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海宏威知识产权代理有限公司31250 | 代理人： | 金利琴 |
| 地址： | 201103 上海市闵行区合川*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种结型场效应管结构，包括一漏极、一源极、一衬底及一深注入N阱层，还包括电性连接在一起的前栅极和后栅极，前栅极为设置在漏极和源极间的P型栅极，且前栅极一端和漏极间设置有多晶硅场板和场氧化层，后栅极为设置在源极远离漏极一侧的P型栅极；前栅极包含有前栅极P注入层，后栅极包含有后栅极P注入层、后栅极P阱层，且该前、后栅极P注入层的结深远深于源极的结深，后栅极P阱层的结深深于所述后栅极P注入层。本发明的一种结型场效应管结构是一种无需增加任何高压工艺层次，却可以实现夹断电压随应用需求很方便调整的器件结构，同时在后栅极有结深更深的P阱层保护，进一步实现了耐压的提高，非常适用于高压CDMOS,BCD工艺平台的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 结构 | ||
【主权项】：
一种结型场效应管结构，其特征在于：包括一漏极、一源极、一衬底及一深注入N阱层，还包括电性连接在一起的前栅极和后栅极，前栅极为设置在漏极和源极间的P型栅极，且前栅极一端和漏极间设置有多晶硅场板和场氧化层，后栅极为设置在源极远离漏极一侧的P型栅极；前栅极包含有前栅极P注入层，后栅极包含有后栅极P注入层、后栅极P阱层，且该前、后栅极P注入层的结深远深于所述源极的结深，所述后栅极P阱层的结深深于所述后栅极P注入层。
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