[发明专利]一种自组装LaAlO3纳米线、制备及应用有效

专利信息
申请号: 201410009515.8 申请日: 2014-01-09
公开(公告)号: CN103746071B 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 索红莉;徐燕;刘敏;任程;仪宁;田辉;王毅;马麟 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01L39/12 分类号: H01L39/12;H01L39/24;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 代理人: 张慧
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种自组装LaAlO3纳米线、制备及应用,属于高温超导材料制备技术领域。纳米线之间的取向差基本为0;数目在10‑100个/μm2;垂直基板方向的高度为0.2‑4nm,平行基板方向的长度为50‑1000nm,平行基板方向的宽度在10nm‑100nm;分布均匀且无团结。本发明通过将(001)‑LaAlO3或(001)‑SrTiO3单晶基板偏离标准(001)取向一定角度切割并抛光,然后再经过热处理工艺,即可在基板表面获得自组装的纳米线。本发明工艺及其简单,价格低廉,纳米线的形态可根据偏离角度调控,为沉积超导薄膜提供了一种简单高效的工程表面,有利于市场化的推进。
搜索关键词: 一种 组装 laalo sub 纳米 制备 应用
【主权项】:
一种自组装LaAlO3纳米线,其特征在于,纳米线之间的取向差基本为0;数目在10‑100个/μm2;垂直基板方向的高度为0.2‑4nm,平行基板方向的长度为50‑1000nm,平行基板方向的宽度在10nm‑100nm;所述自组装LaAlO3纳米线的制备方法,包括步骤如下:1)单晶基板的预处理:将(001)‑LAO单晶基板偏离标准(001)一定角度进行切割并抛光,其中偏离标准(001)取向的角度0‑10度;2)烧结:在通Ar保护气体的条件下,将步骤1)中处理好的基板于800~1300℃烧结10~1000分钟,在基板表面得到数目为10‑100个/μm2,高度在0.2‑4nm,长度在50‑1000nm,宽度在10nm‑100nm,不同纳米线之间的取向差基本为0的纳米线,纳米线数目和尺寸通过偏离角度进行控制。
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