[发明专利]多结III-V太阳能电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201410010911.2 申请日: 2014-01-09
公开(公告)号: CN103928539A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: S·W·比德尔;B·赫克玛特绍塔巴里;D·K·萨达那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 于静;张亚非
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及多结III-V太阳能电池及其制造方法。一种多结太阳能电池结构包括包含III-V半导体材料的顶部光伏电池和硅基底部光伏电池。薄的富锗硅锗缓冲层设于所述顶部和底部电池之间。还提供了在硅衬底上制造与锗晶格匹配或者对于锗是赝晶的多结III-V太阳能电池结构的制造技术。所述硅电池的开路电压可以通过局部背表面场结构、局部背接触或基于非晶硅的异质结背接触来增强。
搜索关键词: 多结 iii 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种多结太阳电池结构,包括:具有1.8‑2.1eV之间的带隙的顶部光伏电池,所述顶部光伏电池包括第一基极层和邻接所述第一基极层的第一发射极层,所述第一基极层和第一发射极层中每一个都由III‑V半导体材料构成;底部光伏电池,其包括第二基极层和邻接所述第二基极层的第二发射极层,所述第二基极层和第二发射极层中每一个都由硅构成;位于所述顶部光伏电池和所述底部光伏电池之间的缓冲层,所述缓冲层包括硅和锗并且具有富锗部分,所述顶部光伏电池与所述缓冲层的所述富锗部分晶格匹配或者对于所述富锗部分是赝晶,以及位于所述顶部光伏电池和所述缓冲层之间的隧道结。
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