[发明专利]多结III-V太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201410010911.2 | 申请日: | 2014-01-09 |
公开(公告)号: | CN103928539A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | S·W·比德尔;B·赫克玛特绍塔巴里;D·K·萨达那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 于静;张亚非 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及多结III-V太阳能电池及其制造方法。一种多结太阳能电池结构包括包含III-V半导体材料的顶部光伏电池和硅基底部光伏电池。薄的富锗硅锗缓冲层设于所述顶部和底部电池之间。还提供了在硅衬底上制造与锗晶格匹配或者对于锗是赝晶的多结III-V太阳能电池结构的制造技术。所述硅电池的开路电压可以通过局部背表面场结构、局部背接触或基于非晶硅的异质结背接触来增强。 | ||
搜索关键词: | 多结 iii 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种多结太阳电池结构,包括:具有1.8‑2.1eV之间的带隙的顶部光伏电池,所述顶部光伏电池包括第一基极层和邻接所述第一基极层的第一发射极层,所述第一基极层和第一发射极层中每一个都由III‑V半导体材料构成;底部光伏电池,其包括第二基极层和邻接所述第二基极层的第二发射极层,所述第二基极层和第二发射极层中每一个都由硅构成;位于所述顶部光伏电池和所述底部光伏电池之间的缓冲层,所述缓冲层包括硅和锗并且具有富锗部分,所述顶部光伏电池与所述缓冲层的所述富锗部分晶格匹配或者对于所述富锗部分是赝晶,以及位于所述顶部光伏电池和所述缓冲层之间的隧道结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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