[发明专利]一种去除多晶硅中硼的方法有效
申请号: | 201410012181.X | 申请日: | 2014-01-10 |
公开(公告)号: | CN103771419A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 罗立国;方红承;彭金鑫;母清林;周冰 | 申请(专利权)人: | 黑河合盛光伏科技有限公司;浙江合盛硅业有限公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 沈自军 |
地址: | 164399 黑*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明公开了一种去除多晶硅中硼的方法,包括:将工业硅熔融后从反应坩埚顶部喷洒而下,将混合气体从下往上输送与熔融的工业硅接触反应,同时将反应后的气体及时抽去;所述混合气体由载气和氧化性气体组成,所述氧化性气体为氢气、水蒸气和氧气中的一种或多种。本发明改变传统直接将氧化性气体通入硅液的方法,而是将硅液通过喷洒自由落下,而氧化性气体从底部向上输送,两者在中间位置接触反应,增加接触面积,提高了硼等非挥发性元素的去除效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 去除 多晶 硅中硼 方法 | ||
【主权项】:
一种去除多晶硅中硼的方法,包括:将工业硅熔融后从反应坩埚顶部喷洒而下,将混合气体从下往上输送与熔融的工业硅接触反应,同时将反应后的气体及时抽去;所述混合气体由载气和氧化性气体组成,所述氧化性气体为氢气、水蒸气和氧气中的一种或多种。
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