[发明专利]一种去除多晶硅中硼的方法有效

专利信息
申请号: 201410012181.X 申请日: 2014-01-10
公开(公告)号: CN103771419A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 罗立国;方红承;彭金鑫;母清林;周冰 申请(专利权)人: 黑河合盛光伏科技有限公司;浙江合盛硅业有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 沈自军
地址: 164399 黑*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明公开了一种去除多晶硅中硼的方法,包括:将工业硅熔融后从反应坩埚顶部喷洒而下,将混合气体从下往上输送与熔融的工业硅接触反应,同时将反应后的气体及时抽去;所述混合气体由载气和氧化性气体组成,所述氧化性气体为氢气、水蒸气和氧气中的一种或多种。本发明改变传统直接将氧化性气体通入硅液的方法,而是将硅液通过喷洒自由落下,而氧化性气体从底部向上输送,两者在中间位置接触反应,增加接触面积,提高了硼等非挥发性元素的去除效率。
搜索关键词: 一种 去除 多晶 硅中硼 方法
【主权项】:
一种去除多晶硅中硼的方法,包括:将工业硅熔融后从反应坩埚顶部喷洒而下,将混合气体从下往上输送与熔融的工业硅接触反应,同时将反应后的气体及时抽去;所述混合气体由载气和氧化性气体组成,所述氧化性气体为氢气、水蒸气和氧气中的一种或多种。
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