[发明专利]退磁检测方法、退磁检测电路及应用该电路的恒流驱动器有效
| 申请号： | 201410012513.4 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103728578B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘柳胜;牟在鑫;郭越勇 | 申请（专利权）人： | 美芯晟科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12;H05B37/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 刘贝 |
| 地址： | 100086 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种退磁检测方法、退磁检测电路及应用该电路的恒流驱动器。所述退磁检测电路包括开关管（M2）、偏置单元（10）和比较单元（COMP1），其中，开关管（M2）的漏极端与被测储能元件（L，T）连接；偏置单元（10）与开关管（M2）的栅极端连接，以对开关管（M2）的栅极端信号进行采样，并将该采样信号发送到所述比较单元（COMP1）；比较单元（COMP1）的不同输入端分别接收来自偏置单元（10）的信号和参考电平（VREF_DM），并将二者进行比较。应用该电路可以直接利用开关管进行储能元件退磁结束的检测，于是可以降低电路设计成本及体积，提高应用的灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 退磁 检测 方法 电路 应用 驱动器 | ||
【主权项】：
一种退磁检测电路，其特征在于，包括：开关管(M2)、偏置单元(10)和比较单元(COMP1)，其中，开关管(M2)的漏极端与被测储能元件(L，T)连接；偏置单元(10)与开关管(M2)的栅极端连接，以对开关管(M2)的栅极端信号进行采样，并将该采样信号发送到所述比较单元(COMP1)；比较单元(COMP1)的不同输入端分别接收来自偏置单元(10)的信号和参考电平(VREF_DM)，并将二者进行比较，其中，所述偏置单元(10)包括可变电阻(RBIAS)或者MOS管(M3)或者MOS管与固定电阻的组合，通过将所述偏置单元(10)设置为高阻态来检测储能元件(L，T)的退磁时间。
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