[发明专利]一种阵列基板及其制备方法有效
申请号: | 201410012546.9 | 申请日: | 2014-01-10 |
公开(公告)号: | CN104779137B | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 谭志辉 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C23C16/44 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法,该方法包括在衬底基板上形成介质层;在所述介质层的表面形成金属层;在所述金属层的表面形成抗反射层,所述抗反射层的材料为氮化钛TIN。本发明实施例中在金属层表面形成材料为TIN的抗反射层,该抗反射层质地均匀致密,表面光滑,弹性良好,附着性好,不但能够消除来自金属层表面的反射,而且能够有效地避免由于应力释放在金属层的有些部位形成空洞或是由金属原子的堆积而形成小丘,使金属层中的电迁移过程中引起的断路或短路的问题,从而提高产品的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:在衬底基板上形成介质层;在所述介质层的表面形成金属层;向装有钛靶的PVD设备中置入形成有所述金属层的阵列基板;开启所述PVD设备的阀门,并向装有钛靶的PVD设备通入一定剂量的氩气和氮气,维持5~8秒;开启所述PVD设备的直流电源,并向所述PVD设备通入一定剂量的氩气和氮气,维持3~5秒;将直流电源的功率增加到反应功率,并继续向PVD设备通入一定剂量的氩气和氮气,维持13~18秒;所述氩气在直流电源产生的电场作用下轰击钛靶,使钛靶与氮气发生反应,在所述金属层的表面形成抗反射层;所述抗反射层的厚度为30nm‑40nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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