[发明专利]一种多元有机/无机杂化太阳电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410013344.6 申请日: 2014-01-10
公开(公告)号: CN103904217B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 刘长文;王命泰;邱泽亮 申请(专利权)人: 中国科学院等离子体物理研究所
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司34112 代理人: 余成俊
地址: 230031 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种多元有机/无机杂化太阳电池及其制备方法,电池效率达到6.38%;电池组成包括有玻璃衬基、作为阳极的ITO层、ZnO‑CdS‑Sb2S3三组分纳米棒阵列、LiTFSI‑MEH‑PPV掺杂聚合物层、PEDOTPSS空穴传输层以及作为电池阴极的Au膜层。本发明中材料和器件的制备方法简便,无机纳米阵列的生长可控,聚合物的纳米级掺杂在溶液中定量完成;本发明技术适合大规模应用,在光伏材料和低价太阳电池器件等领域具有很大的应用价值。
搜索关键词: 一种 多元 有机 无机 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种多元有机/无机杂化太阳电池,其特征在于:包括有玻璃衬基、作为阳极的ITO层、ZnO‑CdS‑Sb2S3三组分纳米棒阵列、LiTFSI‑MEH‑PPV层、PEDOT:PSS空穴传输层以及作为电池的阴极的Au膜层;所述的ITO层镀在玻璃衬基上作为电池的阳极,以垂直生长于ITO层之上的ZnO‑CdS‑Sb2S3三组分纳米棒阵列为电池的电子传输通道,用LiTFSI‑MEH‑PPV为主要的光吸收材料,而CdS和Sb2S3为辅助吸光材料,LiTFSI‑MEH‑PPV填充到ZnO‑CdS‑Sb2S3三组分纳米棒的间隙之中,同时在ZnO‑CdS‑Sb2S3三组分纳米棒阵列上方形成LiTFSI‑MEH‑PPV膜层,在LiTFSI‑MEH‑PPV膜层上沉积PEDOT:PSS作为空穴传输层,在空穴传输层上沉积Au膜作为电池的阴极;所述的ZnO‑CdS‑Sb2S3三组分纳米棒由Sb2S3壳层、CdS中间壳层、ZnO纳米棒组成;所述的CdS中间壳层外包覆着Sb2S3壳层;所述的LiTFSI‑MEH‑PPV层由TBP和纳米级LiTFSI掺杂的MEH‑PPV组成。
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