[发明专利]一种光电子器件

摘要

本发明提供了一种提高MgxZn1‑xO导电性的方法及其在光电子器件中的应用。本发明的提高MgxZn1‑xO薄膜导电性的方法，包括对MgxZn1‑xO薄膜进行氟掺杂获得氟掺杂的MgxZn1‑xO薄膜；或直接制备氟掺杂的MgxZn1‑xO薄膜。本发明的一种光电子器件，包括有源层以及设置在有源层上的金属电极层，其中，所述有源层包括氟掺杂的MgxZn1‑xO层。本发明通过氟掺杂实现包括深紫外在内的MgxZn1‑xO的电性调控。本发明利用氟原子的有效掺杂提供多余的载流子，从而获得电学性能大幅度改善的n型导电性的MgxZn1‑xO薄膜。

主权项

一种光电子器件，包括有源层以及设置在有源层上的金属电极层，其中，所述有源层仅由氟掺杂的MgxZn1‑xO层构成，所述氟掺杂的MgxZn1‑xO层的厚度在200纳米‑1微米之间；所述光电子器件还包括衬底，所述氟掺杂的MgxZn1‑xO层直接形成在所述衬底上。