[发明专利]一种CMOS及其制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS及其制造方法，所述CMOS的制造方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成有源区、源极、漏极以及多晶硅栅极层和介质层；在所述介质层上涂布光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成连接孔的位置；在所述连接孔的位置利用直口刻蚀工艺刻蚀连接孔；在所述连接孔中沉积金属层。本发明利用“直口刻蚀”代替现有的“碗口刻蚀+直口刻蚀”两步刻蚀方式，搭配SOG工艺并使用金属钨代替铝合金作为填充金属，使得连接孔尺寸可以相对做小而且填充良好，这样连接孔的偏移量就有更大的冗余度，从而避免因连接孔位置偏移造成的功能失效，确保连接孔特性稳定。 1

主权项

1.一种CMOS的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底上形成有源区、源极、漏极以及多晶硅栅极层和介质层；

在所述介质层上涂布光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成连接孔的位置；其中，形成连接孔的位置的步骤进一步包括：在所述介质层上利用旋涂工艺形成SOG层，所述光刻胶层形成在所述SOG层上；

在所述连接孔的位置利用直口刻蚀工艺刻蚀连接孔；刻蚀完后将表面的光刻胶去掉，然后进行N+/P+区域的注入；

在所述连接孔中沉积金属层，沉积的金属为钨或者钨合金；

在所述连接孔的位置利用直口刻蚀工艺刻蚀连接孔的步骤之后还包括：在所述连接孔中沉积钛和氮化钛，经过一个快速热烧结RTS过程。

2.根据权利要求1所述的CMOS的制造方法，其特征在于，在所述连接孔中沉积金属层的步骤之后，还包括：回刻掉位于连接孔之外的金属层。

3.根据权利要求1所述的CMOS的制造方法，其特征在于，在所述连接孔中沉积金属层的步骤之后，还包括：在所述连接孔的顶端淀积与所述连接孔中的金属层相连接的金属层。

4.根据权利要求1所述的CMOS的制造方法，其特征在于，在所述连接孔中沉积金属层的步骤之后，还包括：溅铝工艺。

5.一种CMOS，其特征在于，包括衬底和形成于衬底上的有源区、源极、漏极以及多晶硅栅极层、介质层和金属层，所述金属层通过连接孔与有源区的源电极和漏电极相连接，所述连接孔由直口刻蚀工艺刻蚀而形成，所述连接孔中沉积有金属层，所述连接孔中沉积的金属为钨或者钨合金，所述介质层上利用旋涂工艺形成有SOG层，所述连接孔中在沉积钨或者钨合金之前沉积有钛和氮化钛，且经过一个快速热烧结RTS过程。