[发明专利]去嵌入的测试方法在审
| 申请号： | 201410014472.2 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104777360A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 盛亚;王西宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种去嵌入的测试方法，所述去嵌入的测试方法包括：提供一去嵌入的测试结构，去嵌入的测试结构包括相互独立的整体结构、开路结构和短路结构，整体结构具有一待测器件，开路结构和短路结构均在整体结构的基础上去除了待测器件；分别测试整体结构、开路结构和短路结构，得到整体结构、开路结构和短路结构的散射参数值；分别测量整体结构和短路结构中的导线长度；根据测得的导线长度和整体结构、开路结构和短路结构的散射参数值进行去嵌计算，得到待测器件本身的测试结果。本发明去嵌入的测试方法中，通过分别测量完整结构和短路结构中的导线长度以去除短路结构中较完整结构多出的导线长度，因此去嵌计算能够得到更加精确地测试结果。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种去嵌入的测试方法，其特征在于，包括：提供一去嵌入的测试结构，所述去嵌入的测试结构包括相互独立的整体结构、开路结构和短路结构，所述整体结构具有一待测器件，所述开路结构和短路结构均在所述整体结构的基础上去除了所述待测器件；分别测试所述整体结构、开路结构和短路结构，得到所述整体结构、开路结构和短路结构的散射参数值；分别测量所述整体结构和短路结构中的导线长度；根据测得的导线长度和所述整体结构、开路结构和短路结构的散射参数值进行去嵌计算，得到所述待测器件本身的测试结果。
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