[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201410014510.4 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104779207A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 居建华;张帅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：S101：形成鳍型结构；S102：通过离子注入形成阱区，采用标准阈值电压离子注入条件调整SRAM单元的上拉晶体管和传输门晶体管的阈值电压、低阈值电压离子注入条件调整下拉晶体管的阈值电压；S103：形成晶体管的栅极；S104：采用P型高阈值电压离子注入条件对上拉晶体管进行离子注入，采用N型标准阈值电压离子注入条件对传输门晶体管进行离子注入，采用N型低阈值电压离子注入条件对下拉晶体管进行离子注入。该方法通过对上拉晶体管、传输门晶体管和下拉晶体管分别采用高阈值电压、标准阈值电压以及低阈值电压离子注入条件进行离子注入，提高了SRAM单元的性能和SRAM阵列良率的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：在半导体衬底上形成鳍型结构；步骤S102：通过离子注入在所述半导体衬底内形成阱区以用于形成晶体管，并通过离子注入调整所述晶体管的阈值电压，其中，采用标准阈值电压离子注入条件调整SRAM单元的上拉晶体管和传输门晶体管的阈值电压，采用低阈值电压离子注入条件调整所述SRAM单元的下拉晶体管的阈值电压；步骤S103：形成所述晶体管的栅极；步骤S104：对所述SRAM单元的晶体管进行轻掺杂漏离子注入和袋区离子注入，其中，采用P型高阈值电压离子注入条件对所述上拉晶体管进行离子注入，采用N型标准阈值电压离子注入条件对所述传输门晶体管进行离子注入，采用N型低阈值电压离子注入条件对所述下拉晶体管进行离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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