[发明专利]基于高阻ZnO单晶的光电导型X射线探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于高阻ZnO单晶的光电导型X射线探测器，包括ZnO单晶基片，ZnO单晶基片的上表面镀有上电极及环形结构的保护环，上电极位于保护环的中部，保护环与上电极之间有均匀间隙，ZnO单晶基片的下表面镀有下电极，上电极及保护环自上到下依次均包括第一Al膜层及第一AZO膜层，下电极自上到下依次包括第二AZO膜层及第二Al膜层；相应的，本发明还提供了一种基于高阻ZnO单晶的光电导型X射线探测器的制备方法，本发明制备的基于高阻ZnO单晶的光电导型X射线探测器耐高压性强，同时具有低噪声的特性，并且成本低。

主权项

一种基于高阻ZnO单晶的光电导型X射线探测器，其特征在于，包括ZnO单晶基片(1)，ZnO单晶基片(1)的上表面镀有上电极(7)及环形结构的保护环(6)，上电极(7)位于保护环(6)的中部，保护环(6)与上电极(7)之间设为均匀间隙，ZnO单晶基片(1)的下表面镀有下电极(8)，上电极(7)及保护环(6)自上到下依次均包括第一Al膜层(3)及第一AZO膜层(2)，下电极(8)自上到下依次包括第二AZO膜层(4)及第二Al膜层(5)。