[发明专利]CD控制方法在审
| 申请号： | 201410014551.3 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104779177A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 易旭东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种CD控制方法，包括：获得所述氧化层厚度与CD的关系曲线；测量实际的氧化层沟槽的深度是否等于设定值，如果不相等则根据公式Energy(Split)＝Energy(BL)+[CD(split)-CD(BL)]*slope计算实际的曝光能量，按照所述实际的曝光能量进行光刻工艺；其中Energy(Split)表示实际的曝光能量，Energy(BL)表示设定的曝光能量，CD(split)是氧化层厚度与CD的关系曲线中实际的氧化层厚度所对应的关键尺寸，CD(BL)是氧化层厚度与CD的关系曲线中氧化层厚度设定值所对应的关键尺寸，Slope为固定常数。采用可变的曝光能量进行光刻，能够灵活有效的针对不同的情况获得合适的CD，从而形成较佳的沟槽，提高了产品的质量，降低了报废几率。 | ||
| 搜索关键词： | cd 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种CD控制方法，用于制作半导体器件的氧化层沟槽，所述半导体器件包括衬底，所述衬底中形成有STI，形成于所述衬底上的氧化层，其特征在于，所述CD控制方法包括：获得所述氧化层厚度与CD的关系曲线；测量实际的氧化层沟槽的深度是否等于设定值，如果不相等则根据公式Energy(Split)＝Energy(BL)+[CD(split)‑CD(BL)]*slope计算实际的曝光能量，按照所述实际的曝光能量进行光刻工艺；其中Energy(Split)表示实际的曝光能量，Energy(BL)表示设定的曝光能量，CD(split)是氧化层厚度与CD的关系曲线中实际的氧化层厚度所对应的关键尺寸，CD(BL)是氧化层厚度与CD的关系曲线中氧化层厚度设定值所对应的关键尺寸，Slope为固定常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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