[发明专利]一种虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法有效

专利信息
申请号: 201410014615.X 申请日: 2014-01-13
公开(公告)号: CN104778288B 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 樊强;李雪 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京市磐华律师事务所11336 代理人: 董巍,高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法以及由此形成的版图双图型分解流程,所述方法包括步骤(a)分解定义原始虚拟图案多层堆栈单元为两个新的多层堆栈单元A和B;步骤(b)首先定义所述填充起始点,从填充起始点开始填充A堆栈单元,得到占全部虚拟图案1/4的第一堆栈虚拟图案;步骤(c)向右转移所述填充起始点,以步骤(b)的填充间隔在所述第一虚拟图案的一侧填充B堆栈单元;步骤(d)向上转移所述填充起始点,以相同的填充间隔在第一虚拟图案的上方填充B堆栈单元;步骤(e)向右上方对角线方向转移填充起始点,以步骤(b)的填充间隔在剩余的空间内填充A堆栈单元。本方法能够实现双图型(double pattern)自我分解。
搜索关键词: 一种 虚拟 图案 多层 堆栈 单元 自我 双图型 分解 方法
【主权项】:
一种虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法,所述方法通过转移填充起始点填充四次虚拟图案堆栈单元来实现多层堆栈单元中双图型分解要求层的双图型自我拆分,包括:步骤(a)分解定义原始虚拟图案多层堆栈单元为两个新的多层堆栈单元A和B;步骤(b)执行第一填充步骤,首先定义所述填充起始点,从所述填充起始点开始填充A堆栈单元,得到占全部虚拟图案1/4的第一堆栈虚拟图案;步骤(c)执行第二填充步骤,向右转移所述填充起始点,以所述步骤(b)的填充间隔在所述第一堆栈虚拟图案的一侧填充B堆栈单元,得到占全部虚拟图案1/4的第二堆栈虚拟图案;步骤(d)执行第三填充步骤,向上转移所述填充起始点,以所述步骤(b)的填充间隔在所述第一堆栈虚拟图案的上方填充B堆栈单元,得到占全部虚拟图案1/4的第三堆栈虚拟图案;步骤(e)执行第四填充步骤,向右上方对角线方向转移所述填充起始点,以步骤(b)的填充间隔在剩余的空间内填充A堆栈单元,得到第四堆栈虚拟图案。
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