[发明专利]积分球磁不敏囚禁系统有效

专利信息
申请号: 201410014819.3 申请日: 2014-01-14
公开(公告)号: CN103763847A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 王文丽;邓见辽;王育竹 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: H05H3/02 分类号: H05H3/02
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 张泽纯
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种积分球磁不敏囚禁系统,主要包括真空腔体、磁场系统和光路系统。本发明用于制备高密度、长相干时间的冷原子源。本发明通过一对准赫姆霍兹线圈和单根导线形成Ioffe-Pritchard微磁阱,利用其产生的梯度场搜寻磁不敏原子态,具有装置简易,体积小,功耗低,操作方便等优点,利于实现积分球内原子态的相干操控研究,为最终研制高精度小型化星载原子钟提供一种新的技术。
搜索关键词: 积分 不敏 囚禁 系统
【主权项】:
一种积分球磁不敏囚禁系统,主要包括真空腔体、磁场系统和光路系统,其特征在于:所述的真空腔体是一个积分球体,由玻璃球体(1)、漫反射涂层(2)和玻璃吸收池(3)组成,所述的玻璃球体(1)的球体下端开一Φ10mm孔(C)并烧制在所述的玻璃吸收池(3)上,所述的漫反射涂层(2)是一种硫酸钡材料,均匀涂在玻璃球体(1)外壁,所述的漫反射涂层(2)上开有分别沿与正负Z轴成45度对称分布的第一通光孔(a)、第二通光孔(b)、第三通光孔(c)和第四通光孔(d),所述的玻璃吸收池(3)由石英玻璃与不锈钢过渡法兰(D)封接构成;所述的磁场系统包括一对准赫姆霍兹线圈和单根超高真空导线(4),所述的准赫姆霍兹线圈的左线圈(5)和右线圈(6)对称地放在所述的玻璃球体(1)外部两侧,且左线圈(5)和右线圈(6)的轴线与玻璃球体(1)的球心共轴,沿坐标的Z轴分布,所述的左线圈(5)和右线圈(6)的尺寸和所通过的电流大小是完全相同的,而且电流方向也相同,所述的左线圈(5)和右线圈(6)提供一个均匀的偏置场,使得玻璃球体(1)的球体中心处磁场为零,所述的单根超高真空导线(4)沿直角坐标系XYZ轴在玻璃球体(1)内折叠为①、②、③、④、⑤、⑥、⑦共7段,形成沿Z轴方向传输的四段导线①、②、③、④和靠近玻璃球体(1)的内壁的三段导线⑤、⑥、⑦,所述的导线的两头①、⑦通过玻璃球体(1)左侧一孔(E)穿过,与外侧真空接线柱(e)相接,且四段导线①、②、③、④两两相邻的间距相同,电流方向相反,提供一个线性非均匀的磁场,并在玻璃球体(1)的球心产生磁场零点;所述的光路系统包括第一冷却光束(A1)、第二冷却光束(A2)和探测光束(B),第一冷却光束(A1)和第二冷却光束(A2)分别由两根多模光纤输出,第一冷却光束(A1)通过积分球体的第一通光孔(a),沿与正Z轴成正45度方向传播,第二冷却光束(A2)通过积分球体的第二通光孔(b),沿与负Z轴成正45度方向传播,相对射向积分球体的中心,所述的探测光束(B)由另一根单模保偏光纤输出,所述的探测光束(B)通过积分球体的第三通光孔(c)、积分球体的中心、第四通光孔(d),沿与正Y轴成正45度方向传播。
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