[发明专利]光阻胶清洗腔室和去除超厚金属层上残余光阻胶的方法在审
| 申请号： | 201410015397.1 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104779180A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 刘丽丽;仇峰;代大全;史航 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光阻胶清洗腔室和去除超厚金属层上残余光阻胶的方法，所述光阻胶清洗腔室具有室体以及位于室体中的加热板，加热板具有孔，所述孔中具有用于支撑半导体基底且可升降的顶杆。采用本发明的方法进行超厚金属层蚀刻后去除残余光阻胶时，顶杆作为支撑体使得半导体基底在不接触加热板的情况下进行清洗，在清洗的过程中，半导体基底与加热板之间的空间，一方面，可使半导体基底上下表面保持更均匀稳定的温度，另一方面可对室体内的气流产生扰流作用，进而在加热板进行加热时，光阻胶清洗气体在半导体基底的上下两侧形成回流，进而提高了去除光阻胶的效率，节了省清洗时间，提高了产品的良率，也提高了机台产能。 | ||
| 搜索关键词： | 光阻胶 清洗 去除 金属 残余 方法 | ||
【主权项】：
一种光阻胶清洗腔室，具有室体以及位于所述室体中的加热板，其特征在于：所述加热板具有孔，所述孔中具有用于支撑半导体基底且可升降的顶杆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
