[发明专利]低温红外光谱测定单晶硅中替位碳含量的方法

摘要

本发明涉及半导体技术。本发明针对现有技术中设备投入高、测试时间长以及一次测试费用高的问题，提供低温下测定单晶硅中替位碳含量的方法，首先，取已知替位碳含量标称值的单晶硅作为替位碳单晶硅标样，并获取所需测定的单晶硅样品，对单晶硅样品进行抛光腐蚀；在15K温度下，用低温傅里叶变换红外光谱仪分别测量替位碳单晶硅标样及单晶硅样品的红外光谱，并转换为吸收谱；找出吸收谱中在607.5cm-1吸收峰，计算出替位碳单晶硅标样及单晶硅样品607.5cm-1吸收峰的净吸收系数；计算出单晶硅样品中替位碳原子在607.5cm-1处的吸收系数；最后，计算出单晶硅中替位碳含量。通过利用吸收系数与浓度的关系，测出碳含量。适用于测定单晶硅中的替位碳含量。

主权项

低温红外光谱测定单晶硅中替位碳含量的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、取已知替位碳含量标称值的单晶硅作为替位碳单晶硅标样，并获取所需测定的单晶硅样品，对单晶硅样品进行抛光腐蚀；步骤2、在15K温度下，用低温傅里叶变换红外光谱仪分别测量替位碳单晶硅标样及单晶硅样品的红外光谱；步骤3、将替位碳单晶硅标样及单晶硅样品的红外光谱分别转换为吸收谱，找出替位碳单晶硅标样及单晶硅样品吸收谱中在607.5cm‑1吸收峰，计算出替位碳单晶硅标样及单晶硅样品607.5cm‑1吸收峰的净吸收系数；步骤4、根据替位碳单晶硅标样及单晶硅样品在607.5cm‑1处的净吸收系数计算出单晶硅样品中替位碳原子在607.5cm‑1处的吸收系数；步骤5、根据单晶硅样品中替位碳原子在607.5cm‑1处的吸收系数计算出单晶硅中替位碳含量。