[发明专利]非易失性半导体存储器装置以及其中的数据读取方法有效
| 申请号： | 201410016169.6 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN103824596B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 板垣清太郎;福住嘉晃;岩田佳久 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/32;G11C16/34;H01L27/11578;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 贺月娇,杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及非易失性半导体存储器装置以及其中的数据读取方法。一种非易失性半导体存储器装置包括存储器基元阵列，其具有多个存储器串，每一个所述存储器串具有串联连接的多个存储器基元；以及控制电路，其被配置为执行读取操作以从在所述多个存储器串当中的被选择的存储器串中所包括的所述存储器基元读取数据。在所述读取操作期间，所述控制电路被配置为向不进行所述读取操作的未选择的存储器串中的所述存储器基元中的至少一个存储器基元的栅极施加第一电压，并向不进行所述读取操作的所述未选择的存储器串中的所述存储器基元中的另一存储器基元的栅极施加低于所述第一电压的第二电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 装置 以及 其中 数据 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器装置，包括：包括第一存储器串的第一单元，所述第一存储器串包括第一存储器基元和第二存储器基元，所述第一存储器基元和所述第二存储器基元串联电连接；包括第二存储器串的第二单元，所述第二存储器串包括第三存储器基元和第四存储器基元，所述第三存储器基元和所述第四存储器基元串联电连接，所述第二单元不同于所述第一单元；位线，其被电连接到所述第一存储器串和所述第二存储器串；以及控制电路，其被配置为执行读取操作以从所述第一存储器基元读取数据，所述控制电路被配置为，在所述读取操作期间，向所述第三存储器基元的栅极施加第一电压，并向所述第四存储器基元的栅极施加低于所述第一电压的第二电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410016169.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
