[发明专利]OTP器件结构及其加工方法有效
| 申请号： | 201410016428.5 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103745977A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 王志刚;李弦 | 申请（专利权）人： | 创飞有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/423;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 中国香港中环德辅道中*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种OTP器件结构，该OTP器件结构包括：衬底；形成在所述衬底上的薄栅氧低压存储器件和厚栅氧高压选择器件；所述薄栅氧低压存储器件包括形成在所述衬底之中的有源区，以及覆盖在所述有源区之上的薄栅氧化层和叉指型栅极，其中所述叉指型栅极包括多条栅极线。一种OTP器件结构，该OTP器件包括：衬底；形成在所述衬底上的薄栅氧低压存储器件和厚栅氧高压选择器件；所述薄栅氧低压存储器件包括形成在所述衬底之中的叉指型有源区，以及覆盖在所述叉指型有源区之上的薄栅氧化层和栅极，其中所述叉指型有源区内包括多块长条区域，该多块长条区域沿栅长方向延伸。本发明还提供了一种OTP存储结构。 | ||
| 搜索关键词： | otp 器件 结构 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种OTP器件结构，该OTP器件结构包括：衬底；形成在所述衬底上的薄栅氧低压存储器件和厚栅氧高压选择器件；所述薄栅氧低压存储器件包括形成在所述衬底之中的有源区，以及覆盖在所述有源区之上的薄栅氧化层和叉指型栅极，其中所述叉指型栅极包括多条栅极线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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