[发明专利]LED多量子阱结构装置及生长方法有效
| 申请号： | 201410016436.X | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103779465B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡武;郑远志;周德保;杨东;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种LED多量子阱结构装置及生长方法，该装置包括能带能被调控的LED多量子阱结构，所述LED多量子阱结构从下往上包括依次交替生长的势垒层、铟组分递减的第一势阱层以及铟组分递增的第二势阱层。该结构通过调整势阱中的铟组分合理有效的改变能带形状，在量子阱有源区两端形成两个复合中心，增加有源区中电子和空穴波函数的叠加重合区域，提高辐射复合效率，从而提高了LED的发光效率。另外，In组分的渐变能显著提高LED的波长稳定性等工作性能。因此，该多量子阱结构装置可运用于InGaN基蓝光和绿光LED，提高蓝光和绿光LED有源区的内量子阱效率，进而提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 多量 结构 装置 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种LED多量子阱结构装置，其特征在于，包括：能带能被调控的LED多量子阱结构，所述LED多量子阱结构从下往上包括依次交替生长的势垒层、铟组分递减的第一势阱层以及铟组分递增的第二势阱层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圆融光电科技有限公司，未经圆融光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410016436.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
