[发明专利]非均匀介质目标电磁散射的体积分Nystrom分析方法有效
申请号: | 201410016829.0 | 申请日: | 2014-01-15 |
公开(公告)号: | CN104778293B | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 陈如山;丁大志;樊振宏;陶诗飞 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱显国 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种非均匀介质目标电磁散射的体积分Nystrom分析方法。高阶曲四面体单元作为剖分单元被用来模拟物体形状,在每一个四面体内拉格朗日插值多项式作为电流的展开式,并且将高斯积分点作为拉格朗日插值点,保证了体电流表示形式具有高阶精度。针对物体的非均匀特性,仍然可以采用高阶基函数进行分析,高阶基函数的使用使得本发明方法相对于传统的基于SWG基函数的方法,消耗更低的计算内存和更少的计算时间。 | ||
搜索关键词: | 非均匀介质 散射 高阶 拉格朗日插值多项式 非均匀特性 四面体单元 表示形式 模拟物体 剖分单元 分析 插值点 传统的 基函数 体电流 展开式 高斯 内存 四面 体内 消耗 保证 | ||
【主权项】:
一种非均匀介质目标电磁散射的体积分Nystrom分析方法,其特征在于步骤如下:第一步,令均匀平面波照射到一个非均匀介质散射体上,散射体上的总电场等于入射场与散射场之和,入射电场为已知激励,散射电场用待求的电流密度来表示,得出电场积分方程;第二步,对介电参数满足任意函数分布目标进行高阶曲四面体单元剖分;当散射体被曲四面体单元离散后,散射体内的电流表示如下,其中,J(r)是散射体内的电流,Je(r)代表第e个单元内的电流,E是总的四面体单元数目,四面体内的电流用拉格朗日插值算子表示如下,ri是插值点,Ie是第e个单元上的插值点数目,L(i,e)是拉格朗日插值算子;第三步,高阶矢量基函数的形成;在(u,v,w)空间中,n阶多项式表示为,空间的维数由下式决定,当多项式和四面体内插值点被确定后,计算出拉格朗日插值算子L(i,e);第四步,点测试形成待求解的矩阵方程;将电流展开形式带入电场积分方程,运用点测试,得到矩阵方程;第五步,求解矩阵方程,得到电流系数,再根据互易定理由电流系数计算电磁散射参量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学,未经南京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410016829.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:钻孔柱状图岩性描述布局数学规划方法
- 下一篇:一种搜索及索引更新的方法及装置