[发明专利]一种化合物半导体衬底的制备方法

摘要

本发明提供了一种化合物半导体衬底制备方法，通过在施主衬底和外延层之间制备一超薄的气体收集缓冲层，利用缓冲层与界面的低晶格失配和缺陷对注入离子进行有效的吸附和俘获，与目前的化合物体材料的直接注入剥离相比，本发明大大降低了注入气体离子的剂量以及注入时间，减小对外延层造成的损伤；同时在对外延层进行离子注入时，还可减小注入的离子对衬底造成的损伤，使得衬底在剥离后仍可继续使用，减小了生产成本。

主权项

一种化合物半导体衬底制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一施主衬底，在所述施主衬底上制备一气体收集缓冲层后，继续在所述气体收集缓冲层上方制备一外延层；进行离子注入工艺；在所述外延层上方制备一氧化层；提供一支撑衬底，并与上述处理后的施主衬底键合；将完成以上步骤制备形成的结构上下翻转后并进行退火工艺，在气体收集缓冲层附近起泡剥离，移除所述气体收集缓冲层及施主衬底，形成所述化合物半导体衬底。