[发明专利]绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法有效

专利信息
申请号: 201410017166.4 申请日: 2014-01-14
公开(公告)号: CN103788736A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 孙蓉;张国平;姜坤;赵松方 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: C09D4/02 分类号: C09D4/02;C09D4/06;C09D161/06;C09D5/25;C09D7/12;H01L21/31;H01L21/768
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法。该绝缘层用组合物按质量份计,包括稀释剂00份、酚醛树脂2份~10份、增粘剂0.3份~1.0份、交联剂5份~15份及白碳黑1份~5份。稀释剂、酚醛树脂、增粘剂、交联剂和白炭黑按合适的配比得到的上述绝缘层用组合物具有合适的黏度,因而具有较好的成膜性,有利于绝缘层用组合物的立体成型,在硅通孔中制备保形性好的绝缘层。并且,经实验证明,采用上述绝缘层用组合物在硅通孔中制备的绝缘层的介电常数较低,且吸湿率较低。
搜索关键词: 绝缘 组合 硅晶圆 硅通孔上 制备 方法
【主权项】:
一种绝缘层用组合物,其特征在于,按质量份计,包括稀释剂:100份;酚醛树脂:2份~10份;增粘剂:0.3份~1.0份;交联剂:5份~15份;及白碳黑:1份~5份。
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