[发明专利]高光萃取效率发光器件有效
| 申请号： | 201410017588.1 | 申请日： | 2014-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103762286A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 张剑平;高英;武帅;周瓴 | 申请（专利权）人： | 青岛杰生电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00;H01L33/50 |
| 代理公司： | 青岛联智专利商标事务所有限公司 37101 | 代理人： | 刘晓 |
| 地址： | 266101 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提出一种提高光萃取效率的发光器件，所述器件的外延结构包括一N型层，一P型层，和一包裹在所述N型层和所述P型中的发光区。所述发光器件的特征在于所述N型层形成在一特征AlGaN层上，所述特征AlGaN层形成在一AlN层上。所述特征AlGaN层沿所述N型层到所述AlN层，带隙逐渐增大。所述发光器件的特征进一步地在于在所述AlN层可以形成在一纳米多孔AlN层之上。本发明LED具有高光萃取效率和外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 萃取 效率 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，所述器件的外延结构包括：一N型层，一P型层，和一包裹在所述N型层和所述P型层中的发光区，其特征在于，所述N型层形成于一特征AlGaN层上，所述特征AlGaN层形成于一AlN层上，沿所述N型层到所述AlN层，所述特征AlGaN层带隙逐渐增大。
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