[发明专利]金属可编程集成电路

摘要

金属可编程集成电路可以包括金属可编程单元的阵列。每个单元可以包括多栅极晶体管结构，其中栅极结构的多个表面用于控制流过至少一个沟道结构的电流。多栅极晶体管结构可以形成一个或多个鳍式场效应晶体管。栅极结构可以至少部分封闭多个沟道结构。源极/漏极结构对可以被耦合到沟道结构。每个单元的晶体管结构可以被形成在被一个或多个金属互连层覆盖的衬底中。在金属互连层中形成的通路可以配置所述单元以执行期望的逻辑功能。与给定单元相关联的通路可以被选择性地耦合到所述单元的晶体管结构上以配置所述单元实现期望的逻辑功能和/或期望的输出驱动强度。

主权项

1.一种集成电路，其包括：衬底；金属可编程单元阵列，其中所述金属可编程单元阵列的每个单元包括：栅极结构；多个沟道结构，其形成在所述衬底上方并且至少部分被所述栅极结构封闭；第一组金属互连通路，所述第一组金属互连通路将所述金属可编程单元阵列中的第一金属可编程单元配置为具有第一输出驱动强度的第一反相器电路，其中所述第一输出驱动强度基于所述第一金属可编程单元的所述多个沟道结构中由所述第一组金属互连通路并联耦合的第一数量的沟道结构；以及第二组金属互连通路，所述第二组金属互连通路将所述金属可编程单元阵列中的第二金属可编程单元配置为具有不同于所述第一输出驱动强度的第二输出驱动强度的第二反相器电路，其中所述第二输出驱动强度基于所述第二金属可编程单元的所述多个沟道结构中由所述第二组金属互连通路并联耦合的第二数量的沟道结构。