[发明专利]一种在基因修饰的烟草花叶病毒壳蛋白模板上进行纳米金生长的方法在审

专利信息
申请号: 201410018780.2 申请日: 2014-01-16
公开(公告)号: CN103706800A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 刘楠;张威;罗安娜;王英元;冯晓民;何声宝;闫新甫 申请(专利权)人: 国家烟草质量监督检验中心
主分类号: B22F9/00 分类号: B22F9/00;C12N15/34;C12N15/70;C07K14/01;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 郑州中民专利代理有限公司 41110 代理人: 姜振东
地址: 450001 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种在基因修饰的烟草花叶病毒壳蛋白模板上进行纳米金生长的方法,也即基于基因修饰的TMVCP模板的一维金纳米复合材料的制备方法,其特征在于:是以基因修饰的TMVCP为模板,通过其与含金元素基团的静电作用,在其表面吸附含金元素基团,最后加入还原剂,从而实现了纳米金在基因修饰的TMVCP模板表面的生长,得到了新型的TMVCP-纳米金一维复合材料。结果表明,与在未经基因修饰的TMVCP模板上进行纳米金的生长相比,在基因修饰的TMVCP模板上进行纳米金的生长,纳米金在模板表面的生长密度得到较大提升,可望对TMVCP-纳米金一维复合材料的应用产生积极影响。
搜索关键词: 一种 基因 修饰 烟草 花叶 病毒 蛋白 模板 进行 纳米 生长 方法
【主权项】:
一种在基因修饰的烟草花叶病毒壳蛋白模板上进行纳米金生长的方法,也即基于基因修饰的TMVCP模板的一维金纳米复合材料的制备方法,其特征在于:是以基因修饰的TMVCP为模板,通过其与含金元素基团的静电作用,在其表面吸附含金元素基团,最后加入还原剂,从而实现了纳米金在基因修饰的TMVCP模板表面的生长,得到了新型的TMVCP‑纳米金一维复合材料。
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