[发明专利]梳状MEMS器件和制作梳状MEMS器件的方法有效
| 申请号： | 201410019256.7 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103922271B | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | A.德赫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B3/00;H04R31/00;H04R19/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马丽娜,徐红燕 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 梳状MEMS器件和制作梳状MEMS器件的方法。公开了一种MEMS器件和制造MEMS器件的方法。实施例包括在衬底的第一主表面中形成沟槽，通过在沟槽中形成导电材料来形成导电指状物，并且从衬底的第二主表面形成开口从而暴露导电指状物，第二主表面与第一主表面相对。 | ||
| 搜索关键词： | 梳状 mems 器件 制作 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作MEMS器件的方法，所述方法包括：在衬底的第一主表面中形成沟槽；通过形成在所述沟槽外并在所述第一主表面的第一部分上的导电材料的第一部分来形成膜片层，所述膜片层具有第一层厚度，其中所述膜片层包括可偏转膜片；从在所述沟槽中并在所述第一主表面的第二部分上的所述导电材料的第二部分形成指状物层，所述指状物层具有比所述第一层厚度为大的第二层厚度，所述指状物层包括在所述沟槽中形成的导电指状物；以及从所述衬底的第二主表面形成开口从而暴露所述导电指状物和所述可偏转膜片，所述第二主表面与所述第一主表面相对。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410019256.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多层印刷电路板的压合方法
- 下一篇：刚挠结合板及其制作方法
