[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410019642.6 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103715272A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 徐苗;赵铭杰;罗东向;徐华;邹建华;陶洪;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 赵蕊红 |
| 地址： | 510730 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，金属氧化物薄膜晶体管含有由下层金属氧化物薄膜、铜基薄膜和上层金属氧化物薄膜以自下而上叠层构成的复合铜基薄膜，上层金属氧化物薄膜和下层金属氧化物薄膜均为金属氧化物薄膜；其中，下层金属氧化物薄膜作为铜基薄膜的粘附层并作为金属氧化物薄膜晶体管的有源层，铜基薄膜作为金属氧化物薄膜晶体管的源漏电极，上层金属氧化物层为铜基薄膜的保护层。该金属氧化物薄膜晶体管使用一块灰度掩膜版通过一次光刻工艺完成有源层和源漏电极及其电路布线的定义，简化了金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺。本发明采用低布线电阻的铜基薄膜作为布线材料，具有制备工艺简单的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：含有由下层金属氧化物薄膜、铜基薄膜和上层金属氧化物薄膜以自下而上叠层构成的复合铜基薄膜，所述上层金属氧化物薄膜和所述下层金属氧化物薄膜均为金属氧化物半导体薄膜；其中，所述下层金属氧化物薄膜作为铜基薄膜的粘附层并作为金属氧化物薄膜晶体管的有源层，所述铜基薄膜作为金属氧化物薄膜晶体管的源漏电极，所述上层金属氧化物层为所述铜基薄膜的保护层。
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