[发明专利]锑掺杂二氧化锡包覆多孔二氧化锰复合电极材料及制备有效
申请号: | 201410019766.4 | 申请日: | 2014-01-16 |
公开(公告)号: | CN103811190A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 张裕卿;莫妍 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01G11/46 | 分类号: | H01G11/46 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人: | 王小静 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种锑掺杂二氧化锡包覆多孔二氧化锰复合电极材料及制备方法。该复合材料为核壳结构,平均粒径为400-600nm,外层为锑掺杂二氧化锡包覆层,核为多孔二氧化锰球形粒子,复合材料中锰元素与锡元素摩尔比为100:(5~20),锡元素与锑元素摩尔比为100:(2~6)。制备步骤包括:碳酸钠与硫酸锰反应得到碳酸锰,四氯化锡与三氯化锑溶于乙醇水溶液配制成溶胶,加入碳酸锰,利用溶胶凝胶法得到锑掺杂二氧化锡包覆碳酸锰复合材料,将得到的复合材料进行煅烧,制得锑掺杂二氧化锡包覆多孔二氧化锰复合电极材料。本发明制备方法简单,所得电极材料比容量高,循环稳定性好,可作为新型超级电容器电极材料。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 氧化 锡包覆 多孔 二氧化锰 复合 电极 材料 制备 | ||
【主权项】:
一种锑掺杂二氧化锡包覆多孔二氧化锰复合电极材料,其特征在于,该复合电极材料为核壳结构,平均粒径为400‑600nm,外层为锑掺杂二氧化锡包覆层,包覆层中锑元素与二氧化锡的质量比为(0.016~0.046):(0.984~0.954),包覆层厚度为20~30nm,核为多孔二氧化锰球形粒子,二氧化锰在复合材料中质量分数为74~92%,复合材料中锰元素与锡元素摩尔比为100:(5~20),锡元素与锑元素摩尔比为100:(2~6)。
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