[发明专利]具有不对称垂直选择器件的三维非易失性存储器有效
申请号: | 201410020388.1 | 申请日: | 2011-12-12 |
公开(公告)号: | CN103811516A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 罗伊·E·朔伊尔莱因 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克3D有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱胜;李春晖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种非易失性存储系统,包括:基板;被定为在基板上方并且不在基板中的存储器胞元的单片三维存储器阵列;连接到存储器胞元的字线;在基板上方并且不在基板中的多个垂直定向位线,垂直定向位线连接到存储器胞元;多个全局位线;在基板上方并且不在基板中的多个不对称垂直定向选择器件,不对称垂直定向选择器件连接到垂直定向位线和全局位线,不对称垂直定向选择器件具有第一栅极接口和第二栅极接口;以及连接到选择器件的多个选择线,每个不对称垂直定向选择器件使选择线中的一个连接到用于各个不对称垂直定向选择器件的第一栅极接口,并且使选择线中的另一个连接到用于各个不对称垂直定向选择器件的第二栅极接口。 | ||
搜索关键词: | 具有 不对称 垂直 选择 器件 三维 非易失性存储器 | ||
【主权项】:
一种非易失性存储系统,包括:基板;被定为在所述基板上方并且不在所述基板中的存储器胞元的单片三维存储器阵列;连接到所述存储器胞元的字线;在所述基板上方并且不在所述基板中的多个垂直定向位线,所述垂直定向位线连接到所述存储器胞元;多个全局位线;在所述基板上方并且不在所述基板中的多个不对称垂直定向选择器件,所述不对称垂直定向选择器件连接到所述垂直定向位线和所述全局位线,所述不对称垂直定向选择器件具有第一栅极接口和第二栅极接口;以及连接到所述选择器件的多个选择线,每个不对称垂直定向选择器件使所述选择线中的一个连接到用于各个不对称垂直定向选择器件的所述第一栅极接口,并且使所述选择线中的另一个连接到用于各个不对称垂直定向选择器件的所述第二栅极接口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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