[发明专利]肖特基整流器及其制作方法有效
| 申请号： | 201410020540.6 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN104795452B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 顾建平;纪刚 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所31283 | 代理人： | 薛琦,吕一旻 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基整流器及其制作方法。该肖特基整流器包括一第一导电类型衬底，以及形成于该第一导电类型衬底表面的第一导电类型导电层；形成于该第一导电类型导电层中的至少一个沟槽，形成于每个沟槽中的侧壁氧化层和底部氧化层，淀积于沟槽中的多晶硅，该多晶硅掺杂有第二导电类型杂质；形成于该第一导电类型导电层表面的金属层，其中在沟槽的深度方向上，自沟槽的顶部至沟槽的底部，该多晶硅中该第二导电类型杂质的掺杂浓度由高变低。本发明中让原作用在肖特基势垒上的反向电场迅速离开肖特基势垒区，由耗尽层来承担，这样就避免了原来电场作用在肖特基势垒上而产生的漏电，使器件的总体反向耐压大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 整流器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基整流器，其包括一第一导电类型衬底，其特征在于，该肖特基整流器还包括：形成于该第一导电类型衬底表面的第一导电类型导电层；形成于该第一导电类型导电层中的至少一个沟槽，形成于每个沟槽中的侧壁氧化层和底部氧化层，其中该侧壁氧化层形成于沟槽的侧壁上，该底部氧化层形成于沟槽的底部；淀积于沟槽中的多晶硅，该多晶硅掺杂有第二导电类型杂质；形成于该第一导电类型导电层表面的金属层，其中，该底部氧化层的厚度大于该侧壁氧化层的厚度，并且在沟槽的深度方向上，自沟槽的顶部至沟槽的底部，该多晶硅中该第二导电类型杂质的掺杂浓度由高变低。
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