[发明专利]一种获得超高纯氙气的低温精馏装置无效
申请号: | 201410020577.9 | 申请日: | 2014-01-16 |
公开(公告)号: | CN103759501A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 巨永林;王舟;郝熙欢 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | F25J3/08 | 分类号: | F25J3/08 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种获得超高纯氙气的低温精馏装置,主要由冷凝器、冷凝用低温制冷机、低温精馏柱、再沸器以及加热器组成,所述冷凝器连接在低温精馏柱的顶端,所述再沸器连接在低温精馏柱的底端,所述低温精馏柱中填充有精馏填料,原料氙进口位于所述低温精馏柱中部,所述冷凝用低温制冷机连接在所述冷凝器上部,废品氙出口位于所述冷凝器旁侧,所述加热器连接在所述再沸器底部,产品氙出口位于所述再沸器旁侧。本发明所提供的精馏装置,可将氙气中的氪浓度从10-9降低到10-12,且提纯速率为每小时5kg氙气,以满足大型暗物质探测器对探测介质的纯度要求及某些特定需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 获得 高纯 氙气 低温 精馏 装置 | ||
【主权项】:
一种获得超高纯氙气的低温精馏装置,其特征在于,主要由冷凝器、冷凝用低温制冷机、低温精馏柱、再沸器以及加热器组成,所述冷凝器连接在低温精馏柱的顶端,所述再沸器连接在低温精馏柱的底端,所述低温精馏柱中填充有精馏填料,原料氙进口位于所述低温精馏柱中部,所述冷凝用低温制冷机连接在所述冷凝器上部,废品氙出口位于所述冷凝器旁侧,所述加热器连接在所述再沸器底部,产品氙出口位于所述再沸器旁侧。
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