[发明专利]一种背入射浸没式热敏薄膜型红外探测器有效
申请号: | 201410020924.8 | 申请日: | 2014-01-17 |
公开(公告)号: | CN103855238A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 欧阳程;黄志明;周炜;吴敬;高艳卿;龙芳;褚君浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;G01N21/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种背入射浸没式热敏薄膜型红外探测器,所述的红外探测器衬底背面上集成一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜,探测器的敏感元和起补偿作用的补偿元分别位于锗透镜聚光中心焦点位置和边缘区域。该专利的优点在于:能有效消除热敏器件中因衬底效应而引起的等效热容、信号串扰对器件响应率的影响;利用锗透镜的聚光作用,从薄膜衬底背面入射到敏感元上的方式实现浸没式探测,大幅提高了热敏薄膜型红外探测器的响应率和探测率。本发明的公开,对于发展高性能、非制冷热敏薄膜型红外探测器件有一定的指导作用,并可用于单元浸没式红外探测器件的批量生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 入射 浸没 热敏 薄膜 红外探测器 | ||
【主权项】:
一种背入射浸没式热敏薄膜型红外探测器,其特征在于:在所述的热敏薄膜型红外探测器的衬底背面上集成一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜(4);所述的锗单晶半球透镜(4)为折射率n=4、电阻率大于30Ωcm、表面镀制有抗反射层的锗半球晶体,在其底面镀有作为介质层与红外探测器进行粘接的硒砷化合物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的