[发明专利]铜锌锡硫吸收层薄膜及铜锌锡硫太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201410021101.7 | 申请日: | 2014-01-17 |
公开(公告)号: | CN103762257A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 陶加华;孙琳;杨平雄;褚君浩 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人: | 董红曼 |
地址: | 200062 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了铜锌锡硫吸收层薄膜的制备方法,采用电化学共沉积CZTS前驱体后硫化得到CZTS太阳能电池吸收层。本发明进一步公开了铜锌锡硫薄膜太阳能电池的制备方法。本发明可在常温常压下操作,易调控,避免H2S污染,设备简单,成本节约,制得的铜锌锡硫吸收层薄膜表面光滑且非常致密,制得的电池效率高,本发明可广泛用于大规模工业生产。 | ||
搜索关键词: | 铜锌锡硫 吸收 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铜锌锡硫吸收层薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)清洗衬底;(2)利用磁控溅射技术在所述衬底上沉积钼背电极薄膜或ITO导电薄膜;(3)按摩尔比为1~4∶0.5~2∶0.5~2∶1~10∶5~50称取硫酸铜、硫酸锌、硫酸锡、硫代硫酸钠和酒石酸钾,溶解于溶剂中,超声得到待镀电解液,接着进行电沉积镀膜,得到致密的铜锌锡硫前驱体薄膜;(4)将前述铜锌锡硫前驱体薄膜和100~2000mg硫粉置于真空条件下进行硫化退火处理,得到所述铜锌锡硫吸收层薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的