[发明专利]一种高导电率的聚噻吩导电涂层及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201410021115.9 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103753926A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 何宇;杨坤;陈荣;许凯;陈鸣才;方燕;许正敏 | 申请（专利权）人： | 中科院广州化学有限公司 |
| 主分类号： | B32B33/00 | 分类号： | B32B33/00;B32B27/08;C09D165/00;C08G61/12 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张燕玲 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于材料领域，具体涉及一种高导电率的聚噻吩导电涂层及其制备方法与应用。该导电涂层是通过化学氧化法使噻吩或噻吩衍生物在绝缘聚合物膜上进行原位聚合得到的。聚合单体优选噻吩和3-甲基噻吩；绝缘聚合物膜优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氨基双马来酰亚胺或聚苯乙烯。此外，本发明还提供一种高导电率的聚噻吩导电涂层的制备方法，通过聚噻吩与绝缘聚合物膜的紧密连接，使得该导电涂层不仅具有优良的导电性同时还具有通用高分子的柔韧性。该导电涂层的导电率可达10-3S/cm量级，其可以应用于电磁波屏蔽、防静电和有机电子器件等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 噻吩 涂层 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种高导电率的聚噻吩导电涂层，其特征在于，是通过化学氧化法使噻吩或噻吩衍生物在绝缘聚合物膜上进行原位聚合形成聚噻吩或聚噻吩衍生物得到的；所述聚噻吩或聚噻吩衍生物在绝缘聚合物膜上的厚度为30～100μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中科院广州化学有限公司，未经中科院广州化学有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410021115.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：油冷器泄压装置
- 下一篇：一种工业废油再生生产线及生产工艺
