[发明专利]硅氧化物膜的成膜方法有效
| 申请号： | 201410021187.3 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103928316B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 村上博纪;池内俊之;佐藤润;两角友一朗 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法。该方法具备(1)在被处理体的作为被处理面的基底上形成硅膜的工序、和(2)将前述硅膜氧化而在前述基底上形成硅氧化物膜的工序；在前述(1)工序和前述(2)工序之间，具备(3)在将前述硅膜氧化之前，将形成有前述硅膜的前述被处理体暴露于至少包含氧化成分的气氛中的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
一种硅氧化物膜的成膜方法，其具备：(1)在被处理体的作为被处理面的基底上形成硅膜的工序、和(2)将所述硅膜氧化而在所述基底上形成硅氧化物膜的工序；在所述(1)工序和所述(2)工序之间具备：(3)在将所述硅膜氧化之前，将形成有所述硅膜的所述被处理体暴露于至少包含氧化成分的气氛中的工序所述被处理体为硅基板；其中，所述至少包含氧化成分的气氛为按照氮气和氧气的体积比率为9：1～7：3的范围混合而成的混合气氛。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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