[发明专利]双体双面真空镀膜设备无效
申请号: | 201410022033.6 | 申请日: | 2014-01-19 |
公开(公告)号: | CN103741098A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 李飞;李兰民 | 申请(专利权)人: | 遵化市超越钛金设备有限公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/35 |
代理公司: | 唐山永和专利商标事务所 13103 | 代理人: | 张云和 |
地址: | 064200 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明涉及真空镀膜设备,具体是一种双体双面真空镀膜设备。包括镀膜室、真空系统、控制真空系统的电控系统,镀膜室为两个,镀膜室均包括外筒体与置于外筒体内部的内筒体,内筒体与外筒体之间的密闭空间为镀膜区,内筒体、外筒体相对的侧面上均设有离子发射装置。本设备两个独立的镀膜室可对待镀工件同时实现双面镀膜,大大提高生产效率;采用内外筒体结构的镀膜室有效减小镀膜室的空闲容积,降低真空泵的功耗;用一套共用电源和控制系统,可降低生产成本;低真空系统和高真空系统通过转换阀门交替为两个镀膜室抽真空,大大提高了真空系统的利用率。本设备不仅适用于多弧离子镀,也适用于磁控溅射镀、蒸发镀膜。 | ||
搜索关键词: | 双面 真空镀膜 设备 | ||
【主权项】:
一种双体双面真空镀膜设备,包括镀膜室、真空系统、控制真空系统的电控系统,其特征在于,所述的镀膜室为两个,所述的镀膜室均包括外筒体与置于外筒体内部的内筒体,所述的内筒体与外筒体之间的密闭空间为镀膜区,所述的内筒体、外筒体相对的侧面上均设有离子发射装置。
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