[发明专利]红外气体浓度计、微流传感器、温敏电阻结构及其制造方法有效
申请号: | 201410022283.X | 申请日: | 2014-01-17 |
公开(公告)号: | CN104792378B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 赵永翠 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | G01F1/69 | 分类号: | G01F1/69;G01N21/3504 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 邓云鹏 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种微流传感器的温敏电阻结构,包括硅基座,设有气流窗口;薄膜电阻器,包括设于所述硅基座实体部分的片状电阻和悬于所述气流窗口部分的多条平行并均匀间隔排列的条状电阻;所述片状电阻和多条条状电阻之间串联;悬梁,连接所述薄膜电阻器和硅基座,并支撑所述薄膜电阻器;所述悬梁采用氮化硅材料制成。还公开一种该温敏电阻结构的制造方法、一种使用该温敏电阻结构的微流传感器,以及一种基于该微流传感器的红外气体浓度计。使用上述温敏电阻结构的微流传感器检测精度较高,可以被用于基于NDIR的气体浓度检测。 | ||
搜索关键词: | 红外 气体 浓度计 流传 电阻 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种微流传感器的温敏电阻结构,其特征在于,包括:硅基座,设有气流窗口,所述气流窗口自面向薄膜电阻器一侧向另一侧扩大,且所述气流窗口呈四方锥台形的孔;薄膜电阻器,包括设于所述硅基座实体部分的片状电阻和悬于所述气流窗口部分的多条平行并均匀间隔排列的条状电阻;所述片状电阻和多条条状电阻之间串联;悬梁,连接所述薄膜电阻器和硅基座,并支撑所述薄膜电阻器;所述悬梁采用氮化硅材料制成。
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