[发明专利]一种TEM样品的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410022539.7 申请日: 2014-01-17
公开(公告)号: CN104792583B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 齐瑞娟;于会生 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 李仪萍
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种TEM样品的制备方法,其先使用能量较小的离子束对MEMS样品最上端悬浮薄膜结构中的目标结构进行小电流L型或U型切割,而后在纳米操作仪的探针粘接下将目标结构从悬浮薄膜结构中切割下来,最后使用原位吸取的方式将其转移到铜支架上进行最后的细抛减薄。这就最大限度地降低了对目标结构的损害,在整个样品制备过程中最大限度地保证样品的完整性;保证目标结构取出来的角度和在悬浮薄膜结构中的角度的一致性,大大提高了目标结构观测结果的准确性;相较于现有的MEMS的TEM样品制备过程中先将悬浮薄膜转移到Si空片上再进行样品的制备,该方法简单易行,节省了样品的制备时间。
搜索关键词: 目标结构 悬浮薄膜 制备 样品制备过程 观测结果 纳米操作 制备过程 离子束 铜支架 小电流 上端 减薄 探针 粘接 切割 保证 损害
【主权项】:
1.一种TEM样品的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)提供一MEMS样品,所述MEMS样品包含基体和位于基体上与基体相连接的悬浮薄膜结构;2)使用束流小于100pA的离子束对所述悬浮薄膜结构中的目标结构进行L型或U型切割;3)使用纳米操作仪的探针粘接所述目标结构;4)将目标结构与悬浮薄膜结构的连接处切断;5)将步骤4)之后获得的目标结构转移到一个铜支架上,并使用束流为40~80pA的离子束对目标结构进行细抛减薄,得到所需的TEM样品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410022539.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top