[发明专利]实现芯片内部模拟模块无干扰供电的布图方法及其装置有效
申请号: | 201410022825.3 | 申请日: | 2014-01-17 |
公开(公告)号: | CN104794253B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 刘成利;陈子贤;刘明 | 申请(专利权)人: | 京微雅格(北京)科技有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所11309 | 代理人: | 陈霁 |
地址: | 100083 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了实现芯片内部模拟模块无干扰供电的布图方法及其装置。该装置包括N个芯片和具有N层金属环的一电源环,第一层和第N层分别为单一金属环,第二层至N‑1层分别包括第一、第二和第三金属子环;电源环的第N层接地,第一层、第N层和第二层至N‑1层中的第一金属子环和第三金属子环通过通孔连接起来接地;第二层至N‑1部分层中的第二金属子环与接地层金属环隔开,作为信号线或者电源线;部分层的第三金属子环适当位置断开,信号线或者电源线通过断开处与芯片内部模拟模块相接。通过本发明可使芯片的长度和宽度各减少30um以上。有效地降低成本,提高模拟模块的精度。 | ||
搜索关键词: | 实现 芯片 内部 模拟 模块 干扰 供电 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
实现芯片内部模拟模块无干扰供电的布图方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:在芯片四周接口以外的空间做一电源环,所述芯片包括N个,所述电源环包括N层金属环,第一层和第N层分别为单一金属环,第二层至N‑1层分别包括三个金属子环,分别为第一、第二和第三金属子环;将所述电源环的第N层接地,第一层、第N层和第二层至N‑1层中的第一金属子环和第三金属子环通过通孔连接起来接地;将第二层至N‑1部分层中的第二金属子环与接地层金属环隔开,作为信号线或者电源线;将所述部分层的第三金属子环适当位置断开,将信号线或者电源线通过断开处与芯片内部模拟模块相接。
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