[发明专利]一种高频逆变功率单元和高频处理方法

摘要

本发明提供了一种高频逆变功率单元，包括：完全对称的两个相同电路拓扑的桥臂，每个桥臂包括功率器件，功率器件包括了碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管、MOSFET的栅极电阻和阻容吸收电阻，碳化硅MOSFET的三个引脚分别为G，D，S，碳化硅肖特基二极管的三个引脚中两端的两个引脚为正极，中间的一个引脚为负极；栅极电阻的一端接驱动器，另一端接碳化硅MOSFET的G极，碳化硅肖特基二极管的负极和碳化硅MOSFET的D极相连接，碳化硅肖特基二极管的两个正极连接到直流母排上；碳化硅MOSFET的S极和阻容吸收电阻的一端连接后再连接到交流母排上。本发明的高频逆变功率单元可以满足超高频的应用。

主权项

一种高频逆变功率单元，其特征在于，包括：完全对称的两个相同电路拓扑的桥臂，每个桥臂包括功率器件，所述功率器件包括了碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管、MOSFET的栅极电阻和阻容吸收电阻，所述碳化硅MOSFET与所述碳化硅肖特基二极管均有三个引脚，所述碳化硅MOSFET的三个引脚分别为G，D，S，所述碳化硅肖特基二极管的三个引脚中两端的两个引脚为正极，中间的一个引脚为负极；所述栅极电阻的一端接驱动器，另一端接碳化硅MOSFET的G极，所述碳化硅肖特基二极管的负极和所述碳化硅MOSFET的D极相连接，所述碳化硅肖特基二极管的两个正极连接到直流母排上；所述碳化硅MOSFET的S极和所述阻容吸收电阻的一端连接后再连接到交流母排上，所述通过碳化硅MOSFET串联碳化硅肖特基二极管来承受反压；所述阻容吸收电阻的另外一端通过阻容吸收电容连接到直流母排。