[发明专利]一种光子晶体光纤磨抛工艺方法

摘要

本发明公开了一种光子晶体光纤磨抛工艺方法包括：光子晶体尾纤磨抛前准备；光子晶体尾纤的装卡；光子晶体光纤端面的粗磨；光子晶体光纤端面的细磨；光子晶体光纤端面的精磨；光子晶体光纤端面的抛光；光纤端面检查。由于本发明中的磨抛工艺方法采用湿法腐蚀光刻工艺或划切工艺在光纤固定块上形成V型槽以及在常规光子晶体端面磨抛基础上引入了光子晶体光纤端面的抛光平面为与光纤横截面成一定角度的CMP技术，采用该工艺方法制备的光子晶体光纤能够确保尾纤具有较小的损耗，可用于全内反射型光子晶体光纤和光子带隙型光子晶体光纤端面角度的磨抛。

主权项

一种光子晶体光纤磨抛工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、光子晶体尾纤磨抛前准备在单晶硅晶圆的表面形成用于支承并粘结固定光纤的V型槽，该具有V型槽的单晶硅晶圆作为光子晶体光纤固定用的光纤固定块；将经剥除表面涂覆层的光子晶体光纤清洗、切端头后装入光纤定轴用的卡具中；将光纤固定块的V型槽内涂上一定量的粘胶，然后，将光子晶体光纤放入该V型槽，通过定轴用的卡具调整光子晶体光纤，使其慢轴或快轴与V型槽的底面成一定角度，调整到位后，将光子晶体光纤粘结固定在光纤固定块上，由光纤和光纤固定块粘结构成的组件称为光子晶体尾纤；S2、光子晶体尾纤的装卡将光子晶体尾纤装卡在尾纤磨抛卡具上，用具有一定气体压力的气体保持光子晶体光纤的空气微孔的通畅；S3、光子晶体光纤端面的粗磨将用粒度在8‑40微米的微粉和水配制成的研磨浆料装入研磨料筒内，并将研磨料筒放到研磨机的浆料分散装置上，使研磨料筒滚动从而使其内部的研磨浆料分散均匀；设定研磨浆料的滴出速度在5‑100滴/分的范围内；将安装有光子晶体尾纤的尾纤磨抛卡具设定到一定的研磨压力后放到研磨机的研磨盘上；设定研磨盘的研磨转速在5‑60转/分的范围内；然后，对光子晶体尾纤的端面进行研磨，同时，监控光子晶体尾纤端面的研磨长度和时间，并据以计算光子晶体光纤的研磨速率，当计算得到的研磨速率在0.1‑30微米/分的范围内时，在此速率下对光子晶体尾纤的整个端面进行研磨；S4、光子晶体光纤端面的细磨将用粒度在3‑8微米的微粉和水配制成的研磨浆料装入研磨料筒内，并将研磨料筒放到研磨机的浆料分散装置上，使研磨料筒滚动从而使其内部的研磨浆料分散均匀；设定研磨浆料的滴出速度在5‑100滴/分的范围内；将前述的尾纤磨抛卡具设定到一定的研磨压力后放到研磨机的研磨盘上；设定研磨盘的研磨转速在5‑60转/分的范围内；然后，对光子晶体尾纤的端面进行研磨，同时，监控光子晶体尾纤端面的研磨长度和时间，并据以计算光子晶体光纤的研磨速率，当计算得到的研磨速率在0.1‑30微米/分的范围内时，在此速率下对光子晶体尾纤的整个端面进行研磨；S5、光子晶体光纤端面的精磨将用粒度在0.2‑1微米的微粉和水配制成的研磨浆料装入研磨料筒内，并将研磨料筒放到研磨机的浆料分散装置上，使研磨料筒滚动从而使其内部的研磨浆料分散均匀；设定研磨浆料的滴出速度在5‑100滴/分的范围内；将前述的尾纤磨抛卡具设定到一定的研磨压力后放到研磨机的研磨盘上；设定研磨盘的研磨转速在5‑60转/分的范围内；然后，对光子晶体尾纤的端面进行研磨，同时，监控光子晶体尾纤端面的研磨长度和时间，并据以计算光子晶体光纤的研磨速率，当计算得到的研磨速率在0.1‑30微米/分的范围内时，在此速率下对光子晶体尾纤的整个端面进行研磨；S6、光子晶体光纤端面的抛光将装有抛光液的抛光液盒放到研磨机上，设定抛光液的滴出速度在5‑100滴/分的范围内；将尾纤磨抛卡具设定到一定抛光压力后放到研磨机的抛光盘上；设定抛光盘的抛光转速在5‑60转/分的范围内；然后对光子晶体尾纤端面进行抛光，同时监控光子晶体尾纤端面的抛光长度和时间，并据以计算光子晶体光纤的抛光速率，当计算得到的抛光速率在0.1‑30微米/分的范围内时，在此速率下对光子晶体尾纤的整个端面进行抛光；S7、光纤端面检查检查抛光后的光子晶体光纤端面的抛光效果，如符合要求则结束磨抛；如不符合要求，继续步骤S6，直至光子晶体光纤端面的抛光效果符合要求。