[发明专利]一种硅量子点晶体的生长方法无效
| 申请号： | 201410024142.1 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103762284A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 郝洪辰;陈家荣;陆明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于量子点技术领域，具体为一种硅量子点晶体的生长方法。本发明是在利用挥发性硅量子点溶液沉积的同时，结合4000-8000转/分高速离心辅助沉积，制备硅量子点薄膜，该硅量子点薄膜具有密堆积的特性，它实际上可被看作一种硅量子点晶体，是一种新型的人工晶体，可作为一种优秀的硅发光器件有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种硅量子点晶体的生长方法，其特征在于，具体步骤如下： （1）选取挥发性较好的溶剂作为硅量子点的分散剂，把硅量子点分散在易于挥发的溶剂中，预制得硅量子点溶液；硅量子点溶液浓度为：1.0‑2.5mg/L；（2）用低浓度氢氟酸，丙酮，酒精，超声清洗沉积晶体用的衬底和离心沉积管，利用氮气吹干；（3）把衬底置于离心沉积管底部，用移液器将硅量子点溶液转移到离心沉积管内；将离心沉积管置于高速离心机中；（4）在溶液挥发沉积的同时，高速离心机以4000‑8000转/分的转速高速离心，辅助沉积。
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