[发明专利]电子发射装置、其制备方法及显示器有效
| 申请号： | 201410024348.4 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN104795292B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 柳鹏;李德杰;张春海;周段亮;杜秉初;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/308 | 分类号： | H01J1/308;H01J9/02;H01J31/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个间隔设置的电子发射单元，所述电子发射单元包括一第一电极、一绝缘层以及一第二电极，所述绝缘层层叠设置在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极为所述电子发射源的电子发射端，所述第一电极为一碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层位于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明涉及一种电子发射装置的制备方法以及采用上述电子发射装置的显示器。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 装置 制备 方法 显示器 | ||
【主权项】：
一种电子发射装置，其包括多个间隔设置的电子发射单元，所述电子发射单元包括一第一电极、一绝缘层以及一第二电极，所述绝缘层层叠设置在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极为所述电子发射单元的电子发射端，所述第一电极为一碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层位于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，该半导体层包覆所述多个碳纳米管的部分表面，任意相邻的电子发射单元中的第一电极相互间隔，任意相邻的电子发射单元中的第二电极相互间隔。
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