[发明专利]利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法在审
| 申请号： | 201410024654.8 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103741220A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 郝霄鹏;李先磊;张雷;邵永亮;吴拥中;戴元滨;田媛;霍勤 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 宁钦亮 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：（1）配制浓度为0.005-0.1mg/ml的石墨烯纳米片分散液或浓度为0.001-0.02mg/ml的氧化石墨烯纳米片分散液；（2）将配好的石墨烯纳米片分散液或氧化石墨烯纳米片分散液直接涂于用于制备GaN晶体的衬底上，烘干后待用，烘干方法是在真空干燥箱内80℃-200℃干燥1-8小时；（3）将制备好的衬底放入氢化物气相外延系统中进行GaN晶体外延生长。该方法减小了GaN单晶的位错密度，GaN晶体质量有明显的提高，无需采用复杂、昂贵的工艺制备具有特殊结构的氮化镓基板，工艺简单，成本低廉，且生长温度低，适用于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 石墨 氧化 生长 质量 氮化 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法，其特征是，包括以下步骤：（1）配制浓度为0.005‑0.1mg/ml的石墨烯纳米片分散液，或浓度为0.001‑0.02mg/ml的氧化石墨烯纳米片分散液；石墨烯纳米片分散液是将石墨烯纳米片分散在N，N‑二甲基甲酰胺或N‑甲基吡咯烷酮中；氧化石墨烯纳米片分散液是将氧化石墨烯纳米片分散在超纯水中；（2）将配好的石墨烯纳米片分散液或氧化石墨烯纳米片分散液直接涂于用于制备GaN晶体的衬底上，烘干后待用，烘干方法是在真空干燥箱内80℃‑200℃干燥1‑8小时；（3）将制备好的衬底放入氢化物气相外延系统中进行GaN晶体外延生长。
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