[发明专利]利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法有效
| 申请号： | 201410024671.1 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103741221A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 郝霄鹏;李先磊;张雷;邵永亮;吴拥中;戴元滨;田媛;霍勤 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 宁钦亮 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：（1）配制浓度0.005-0.075mg/ml的六方氮化硼纳米片与溶剂的分散液；（2）将配好的分散液直接涂于用于制备GaN晶体的衬底上，然后在真空干燥箱内40℃-120℃干燥1-8小时；（3）将制备好的衬底放入氢化物气相外延(HVPE)系统中进行GaN晶体外延生长。该方法减小了GaN单晶的位错密度，GaN晶体质量有明显的提高，无需采用复杂、昂贵的工艺制备具有特殊结构的氮化镓基板，工艺简单，成本低廉，且生长温度低，适用于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氮化 纳米 生长 质量 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法，其特征是，包括以下步骤：（1）配制浓度0.005‑0.075mg/ml的六方氮化硼纳米片与溶剂的分散液，所述溶剂为乙醇或丙醇或者是乙醇与水体积比为1:1的混合液；（2）将配好的分散液直接涂于用于制备GaN晶体的衬底上，然后在真空干燥箱内40℃‑120℃干燥1‑8小时；（3）将制备好的衬底放入氢化物气相外延(HVPE)系统中进行GaN晶体外延生长。
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