[发明专利]磁场测量装置在审
申请号: | 201410024912.2 | 申请日: | 2014-01-20 |
公开(公告)号: | CN103941199A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 长坂公夫 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G01R33/032 | 分类号: | G01R33/032;G01R33/022 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李逸雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的磁场测量装置采用比现有技术简单的结构,对沿着探测光的方向的磁场梯度进行测量。本发明的探测光照射部(3)对探测光进行照射。气室(1)被配置在探测光的光轴上,对于探测光在第1轴以及第2轴上示出线性二色性。气室(2),在探测光的光轴上相对于气室(1)被配置在探测光照射部(3)的相反侧,对于探测光在与第1轴以及第2轴不同的第3轴以及第4轴上示出线性二色性。测量部(4),基于透过了气室1以及气室2的探测光的偏振面的变化量,对气室(1)中的磁场和气室(2)中的磁场之差进行测量。 | ||
搜索关键词: | 磁场 测量 装置 | ||
【主权项】:
一种磁场测量装置,其特征在于,具有:探测光照射部,其照射探测光;第1介质,其被配置在所述探测光的光轴上,对于所述探测光在第1轴以及第2轴上示出线性二色性;第2介质,其在所述探测光的光轴上相对于所述第1介质被配置在所述照射部的相反侧,且对于所述探测光在与所述第1轴以及所述第2轴不同的第3轴以及第4轴上示出线性二色性;和测量部,其基于透过了所述第1介质以及所述第2介质的所述探测光的偏振面的变化量,对所述第1介质中的磁场与所述第2介质中的磁场之差进行测量。
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