[发明专利]射频集成电路芯片及其形成方法

摘要

一种射频集成电路芯片及其形成方法，所述射频集成电路芯片包括绝缘体上半导体结构，其包括基底、埋氧化层和半导体衬底，所述半导体衬底中具有浅沟槽隔离结构；填充层，贯穿所述浅沟槽隔离结构和所述埋氧化层，并填充部分所述基底以将所述基底与所述浅沟槽隔离结构和所述埋氧化层隔开；介质层，位于所述半导体衬底、所述浅沟槽隔离结构和所述填充层上；射频器件，位于所述介质层上。由于基底与埋氧化层之间被填充层隔开，因此基底与浅沟槽隔离结构或埋氧化层之间不形成电荷反型层或电荷积聚层，进而防止基底出现类似于沟道的导电层，因而射频器件与基底之间不会存在耦合电容，射频信号通过器件时，不会发生谐波失真，提高射频信号的传输质量。

主权项

一种射频集成电路芯片的形成方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上半导体结构，所述绝缘体上半导体结构从下到上依次包括基底、埋氧化层和半导体衬底，所述半导体衬底中具有浅沟槽隔离结构；蚀刻所述浅沟槽隔离结构及其下方的埋氧化层直至形成通孔，所述通孔暴露所述基底表面；沿所述通孔采用各向同性刻蚀方法蚀刻所述基底直至在所述基底形成沟槽，所述沟槽的横截面积大于通孔的横截面积，沟槽的深度等于沟槽从通孔向外拓张的宽度；沉积填充层填充所述沟槽和所述通孔；在所述半导体衬底、所述浅沟槽隔离结构和所述填充层上形成介质层；在所述介质层上形成射频器件。